仕様●チャンネルタイプ： P●最大連続ドレイン電流： 200 mA●最大ドレイン-ソース間電圧： 20 V●シリーズ： RU1C002ZP●実装タイプ： 表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 9.6 Ω●チャンネルモード： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 1V●最低ゲートしきい値電圧： 0.3V●最大パワー消費： 150 mW●最大ゲート-ソース間電圧： -10 V， +10 V●幅： 1.35mm●高さ： 1mm●ローム Pチャンネル MOSFET トランジスタ
RoHS指令(10物質対応)対応
