仕様●チャンネルタイプ： N●最大連続ドレイン電流： 100 mA●最大ドレイン-ソース間電圧： 20 V●シリーズ： RE1C001UN●実装タイプ： 表面実装●ピン数： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗： 18 Ω●チャンネルモード： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧： 1V●最低ゲートしきい値電圧： 0.3V●最大パワー消費： 150 mW●最大ゲート-ソース間電圧： -8 V， +8 V●幅： 0.96mm●高さ： 0.8mm●ローム Nチャンネル MOSFET トランジスタRoHS指令(10物質対応)対応
