仕様●チャンネルタイプ ： P●最大連続ドレイン電流 ： 1 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 20 V●パッケージタイプ ： SOT-23●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 180 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.3V●最大パワー消費 ： 400 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●幅 ： 1.4mm●高さ ： 1.01mm●NチャンネルパワーMOSFET●20 V●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
