仕様●チャンネルタイプ : P●最大連続ドレイン電流 : 1 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 20 V●パッケージタイプ : SOT-23●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 180 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 2.3V●最大パワー消費 : 400 mW●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●長さ : 2.9mm●動作温度 Min : -55 ℃mm●NチャンネルパワーMOSFET●20 V●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応