仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 170 mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 100 V●パッケージタイプ ： SOT-23●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 6 Ω●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 2.8V●最大パワー消費 ： 225 mW●トランジスタ構成 ： シングル●最大ゲート-ソース間電圧 ： -20 V， +20 V●幅 ： 1.3mm●動作温度 Min ： -55 ℃mm●NチャンネルパワーMOSFET●100 V → 1700 V●ON Semiconductor
