仕様●チャンネルタイプ ： N●最大連続ドレイン電流 ： 2.5 A●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●パッケージタイプ ： WDFN●実装タイプ ： 表面実装●ピン数 ： 6●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 250 mΩ●チャンネルモード ： エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 ： 1V●最大パワー消費 ： 2.3 W●トランジスタ構成 ： 絶縁型●最大ゲート-ソース間電圧 ： -8 V， +8 V●動作温度 Max ： +150 ℃mm●高さ ： 0.75mm●デュアルNチャンネルMOSFET●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
