仕様●チャンネルタイプ : N●IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 : 5 to 30mA●最大ドレイン-ソース間電圧 : 30 V●最大ゲート-ソース間電圧 : +30 V●最大ドレイン-ゲート間電圧 : 30V●トランジスタ構成 : シングル●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 100 Ω●実装タイプ : 表面実装●パッケージタイプ : SOT-23●ピン数 : 3●ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス : 14pF●ソースゲート オンキャパシタンス : 14pF●寸法 : 3.04 x 1.4 x 1.01mm●動作温度 Min : -55 ℃mm●NチャンネルJFET●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応