仕様●チャンネルタイプ : P●最大連続ドレイン電流 : 2.6 A●最大ドレイン-ソース間電圧 : 60 V●パッケージタイプ : SOT-223●実装タイプ : 表面実装●ピン数 : 3●最大ドレイン-ソース間抵抗 : 185 mΩ●チャンネルモード : エンハンスメント型●最大ゲートしきい値電圧 : 4V●最大パワー消費 : 2.3 W●トランジスタ構成 : シングル●最大ゲート-ソース間電圧 : -20 V, +20 V●動作温度 Max : +175 ℃mm●動作温度 Min : -55 ℃mm●ON Semiconductor P チャンネルパワー MOSFET●30 → 500 V
RoHS指令(10物質対応)対応