仕様●チャンネルタイプ ： N●IDSSドレイン-ソースカットオフ電流 ： 50 to 150mA●最大ドレイン-ソース間電圧 ： 30 V●最大ゲート-ソース間電圧 ： +30 V●最大ドレイン-ゲート間電圧 ： 30V●トランジスタ構成 ： シングル●最大ドレイン-ソース間抵抗 ： 30 Ω●実装タイプ ： 表面実装●パッケージタイプ ： SOT-23●ピン数 ： 3●寸法 ： 2.9 x 1.3 x 0.94mm●長さ ： 2.9mm●NチャンネルJFET●ON Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応
