仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 400 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 200 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 3 Ω
最大ゲートしきい値電圧 = 2.8V
最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
パッケージタイプ = SOT-89
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 1 W
標準ターンオフ遅延時間 = 49 ns
NチャンネルMOSFET、100 V以上、Nexperia
RoHS指令(10物質対応)対応