仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 82 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 55 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5 mΩ
最大ゲートしきい値電圧 = 4V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
パッケージタイプ = D2PAK (TO-263)
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 1.8 W
標準入力キャパシタンス @ Vds = 6400 pF @ 25 V
Nチャンネル低電圧MOSFET、最大140V、ルネサスエレクトロニクス
RoHS指令(10物質対応)対応