STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET， 100 V， 110 A， 3 ピン パッケージTO-220FP

チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 110 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7 mΩ
最大ゲートしきい値電圧 = 4V
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V， +20 V
パッケージタイプ = TO-220FP
実装タイプ = スルーホール
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 30 W
寸法 = 10.6 x 4.6 x 16.4mm
NチャンネルSTripFETΩ H7シリーズ、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFETΩ MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。