Toshiba NPN デジタルトランジスタ， 50 V， 100 mA， 10 kΩ， 3-Pin ESM

トランジスタタイプ = NPN
1チップ当たりのエレメント数 = 1
最大連続コレクタ電流 = 100 mA
最大コレクタ- エミッタ間電圧 = 50 V
標準入力抵抗 = 10 kΩ
実装タイプ = 表面実装
パッケージタイプ = ESM
ピン数 = 3
最小DC電流ゲイン = 50
トランジスタ構成 = シングル
最大コレクタ-エミッタ間飽和電圧 = 0.3 V
最大エミッタ-ベース間電圧 = 10 V
標準抵抗比 = 1
動作温度 Min = -55 ℃
抵抗器内蔵トランジスタ、BRTシリーズ、東芝. 内蔵バイアス抵抗器、使用部品が少数なのでデバイスサイズの小型化と省スペースの組み立てが可能 幅広い抵抗値範囲により製品が様々な用途に適合 RN1101 / RN2101からRN1118 / RN2118までの製品を補助 用途: スイッチング、インバータ回路、インターフェイス回路、ドライバ回路 SSMパッケージ