仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 58 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 5.4 mΩ
最大ゲートしきい値電圧 = 4V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
パッケージタイプ = TO-220SIS
実装タイプ = スルーホール
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 35 W
1チップ当たりのエレメント数 = 1
MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba
RoHS指令(10物質対応)対応