仕様
ダイオード構成 = コモンカソード
1チップ当たりのエレメント数 = 2
ピーク逆繰返し電圧 = 100V
実装タイプ = スルーホール
パッケージタイプ = TO-220AB
ダイオードタイプ = ショットキー
ピン数 = 3
最大順方向降下電圧 = 790mV
長さ = 10.54mm
幅 = 4.7mm
高さ = 15.32mm
ピーク非繰返し順方向サージ電流 = 320A
TMBS - Trench MOSバリアショットキー整流器、30 → 80 A、Vishay Semiconductor. Vishay製のTrench MOSバリアショットキー(TMBS(R))整流器シリーズには、特許取得済みのトレンチ構造が含まれています。 TMBS整流器は、平面ショットキー整流器よりもいくつかの点で優れています。 動作電圧が45 Vを超える場合、平面ショットキー整流器ではその高速なスイッチング速度という利点が失われ、低順方向電圧が大幅に低下することがあります。 特許取得済みのTMBS構造では、ドリフト領域への少数キャリアの注入を軽減することで、この問題を解決しています。結果として保存電荷量が最小になり、スイッチング速度が向上します。. 特許取得済みのトレンチ構造 AC / DCスイッチモード電源とDC / DCコンバータの効率性が向上 高電力密度と低順方向電圧を実現. 特長
RoHS指令(10物質対応)対応