仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 50 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 60 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 22 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
パッケージタイプ = TO-220AB
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 131 W
トランジスタ素材 = Si
MegaFET MOSFET、Fairchild Semiconductor. LSI集積回路に近づく特性サイズを採用したMegaFETプロセスでは、シリコンの利用率を最適化しているので、優れた性能を発揮します。
RoHS指令(10物質対応)対応