仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 900 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 20 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 220 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 0.6V
最大ゲート-ソース間電圧 = -12 V, +12 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 350 mW
トランジスタ素材 = Si
PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応