仕様
チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 6.6 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 530 mΩ
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
パッケージタイプ = DPAK (TO-252)
実装タイプ = 表面実装
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 2500 mW
標準ターンオフ遅延時間 = 20 ns
自動車用PチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. Fairchild Semiconductorは、品質、安全性、信頼性の基準を徹底的に遵守することで、自動車市場における複雑な課題を解決するソリューションを提供しています。
RoHS指令(10物質対応)対応