仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 170 mA
最大ドレイン-ソース間電圧 = 100 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 6Ω
最低ゲートしきい値電圧 = 0.8V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
パッケージタイプ = SOT-23
実装タイプ = 表面実装
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 360 mW
長さ = 2.92mm
PowerTrench(R) NチャンネルMOSFET、最大9.9 A、Fairchild Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応