仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 4 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 500 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 2Ω
最低ゲートしきい値電圧 = 3V
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
パッケージタイプ = TO-220F
実装タイプ = スルーホール
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
最大パワー消費 = 28 W
標準ターンオン遅延時間 = 14 ns
UniFETΩ NチャンネルMOSFET、Fairchild Semiconductor. UniFETΩ MOSFETは、Fairchild Semiconductor製の高電圧MOSFETファミリです。 この製品は、平面MOSFETの間に最小のオン状態抵抗を搭載しており、優れたスイッチング性能と高いアバランシェエネルギー強度も提供しています。 さらに、内部ゲート - ソースESDダイオードにより、UniFET-IIΩ MOSFETは2000 V HBMを超えるサージストレスに耐えることができます。 UniFETΩ MOSFETは、力率補正(PFC)、フラットパネルディスプレイ(FPD) TV電源、ATX (Advanced Technology eXtended)、電子ランプバラストなどの電力変換の用途に最適です。
RoHS指令(10物質対応)対応