仕様
チャンネルタイプ = N
最大連続ドレイン電流 = 5.4 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 600 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 900 mΩ
最大ゲートしきい値電圧 = 3.7V
最大ゲート-ソース間電圧 = -30 V, +30 V
パッケージタイプ = TO-220SIS
実装タイプ = スルーホール
ピン数 = 3
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 30 W
1チップ当たりのエレメント数 = 1
MOSFET N-Channel, TK4, TK5 Series, Toshiba
RoHS指令(10物質対応)対応