仕様
チャンネルタイプ = P
最大連続ドレイン電流 = 1.8 A
最大ドレイン-ソース間電圧 = 400 V
最大ドレイン-ソース間抵抗 = 7Ω
最低ゲートしきい値電圧 = 2V
最大ゲート-ソース間電圧 = -20 V, +20 V
パッケージタイプ = IPAK (TO-251)
実装タイプ = スルーホール
トランジスタ構成 = シングル
チャンネルモード = エンハンスメント型
カテゴリー = パワーMOSFET
最大パワー消費 = 50 W
標準ターンオフ遅延時間 = 25 ns
PチャンネルMOSFET、100 → 400 V、Vishay Semiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応