内容量1袋(10個)
仕様チャンネルタイプ:N 最大連続ドレイン電流:100 A 最大ドレイン-ソース間電圧:60 V 最大ドレイン-ソース間抵抗:0.0056 Ω 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V パッケージタイプ:TO-220 実装タイプ:スルーホール ピン数:3 チャンネルモード:エンハンスメント型 カテゴリー:パワーMOSFET 最大パワー消費:125 W トランジスタ素材:Si NチャンネルSTripFET(TM) F7シリーズ、STMicroelectronics. STMicroelectronics STripFET(TM) F7シリーズの低電圧MOSFETは、デバイスオン状態の抵抗が低く、内部静電容量とゲート電荷を抑え、スイッチングが高速で効率よくなっています。
注文コード47181829
品番STP100N6F7