内容量1個
仕様チャンネルタイプ:N 最大連続ドレイン電流:11 A 最大ドレイン-ソース間電圧:600 V 最大ドレイン-ソース間抵抗:360 mΩ 最大ゲートしきい値電圧:4V 最低ゲートしきい値電圧:2V 最大ゲート-ソース間電圧:-25 V, +25 V パッケージタイプ:TO-220 実装タイプ:スルーホール トランジスタ構成:シングル チャンネルモード:エンハンスメント型 カテゴリー:パワーMOSFET 最大パワー消費:90 W 1チップ当たりのエレメント数:1 NチャンネルMDmesh(TM)、600 V / 650 V、STMicroelectronics
注文コード47181899
品番STP13NM60N