STMicroelectronics Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量1個 仕様チャンネルタイプ:N最大連続ドレイン電流:12 A最大ドレイン-ソース間電圧:650 V最大ドレイン-ソース間抵抗:279 mΩ最大ゲートしきい値電圧:5V最低ゲートしきい値電圧:3V最大ゲート-ソース間電圧:-25 V, +25 Vパッケージタイプ:DPAK (TO-252)実装タイプ:表面実装ピン数:3チャンネルモード:エンハンスメント型カテゴリー:パワーMOSFET最大パワー消費:90 W標準入力キャパシタンス @ Vds:1250 pF @ 100 VNチャンネルMDmesh(TM) M5シリーズ、STMicroelectronics. MDmesh M5パワーMOSFETは、高出力PFC及びPWMトポロジ向けに最適化されています。 シリコン区画あたりのオンステート損失の低さと低ゲート電荷が特長です。 太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。 注文コード47182556 品番STD16N65M5
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参考基準価格(税別)オープン 販売価格(税込) ¥527
販売価格(税別)
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仕様
チャンネルタイプ:N
最大連続ドレイン電流:12 A
最大ドレイン-ソース間電圧:650 V
最大ドレイン-ソース間抵抗:279 mΩ
最大ゲートしきい値電圧:5V
最低ゲートしきい値電圧:3V
最大ゲート-ソース間電圧:-25 V, +25 V
パッケージタイプ:DPAK (TO-252)
実装タイプ:表面実装
ピン数:3
チャンネルモード:エンハンスメント型
カテゴリー:パワーMOSFET
最大パワー消費:90 W
標準入力キャパシタンス @ Vds:1250 pF @ 100 V
NチャンネルMDmesh(TM) M5シリーズ、STMicroelectronics. MDmesh M5パワーMOSFETは、高出力PFC及びPWMトポロジ向けに最適化されています。 シリコン区画あたりのオンステート損失の低さと低ゲート電荷が特長です。 太陽電池コンバータ、コンシューマ製品向け電源、電子照明制御など、省エネ指向のコンパクトで信頼性の高いハードスイッチング用途向けに設計されています。
RoHS指令(10物質対応)対応

商品レビュー

平均満足度:
総レビュー件数: 1
毎月抽選で 1,000名様500円クーポンをプレゼント!
対象商品:
47185383
2021-06-12
用途:
バイクのイグナイタ強化に
サービス業

イグナイタのトランジスタ強化として購入しました。
取り付け後は低速時のトルク感が上がり乗りやすくなりました。
納期が1週間ほど掛かりましたのでもうちょっと早いと助かります。

よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。
質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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