内容量1袋(2個)
仕様チャンネルタイプ:N 最大連続ドレイン電流:120 A 最大ドレイン-ソース間電圧:75 V 最大ドレイン-ソース間抵抗:8 mΩ 最大ゲートしきい値電圧:4V 最低ゲートしきい値電圧:2V 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V パッケージタイプ:D2PAK (TO-263) 実装タイプ:表面実装 トランジスタ構成:シングル チャンネルモード:エンハンスメント型 カテゴリー:パワーMOSFET 最大パワー消費:310 W 標準ターンオフ遅延時間:130 ns NチャンネルSTripFET(TM) F3、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
注文コード47182617
品番STB140NF75T4