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仕様チャンネルタイプ:N最大連続ドレイン電流:120 A最大ドレイン-ソース間電圧:75 V最大ドレイン-ソース間抵抗:3.7 mΩ最大ゲートしきい値電圧:4V最低ゲートしきい値電圧:2V最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 Vパッケージタイプ:D2PAK (TO-263)実装タイプ:表面実装ピン数:3チャンネルモード:エンハンスメント型カテゴリー:パワーMOSFET最大パワー消費:330 W1チップ当たりのエレメント数:1NチャンネルSTripFET(TM)、STMicroelectronics
注文コード47182626
品番STB160N75F3