STMicroelectronics Pチャンネル パワーMOSFET

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内容量1袋(10個) 仕様チャンネルタイプ:P 最大連続ドレイン電流:10 A 最大ドレイン-ソース間電圧:40 V 最大ドレイン-ソース間抵抗:20 mΩ 最低ゲートしきい値電圧:1V 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V パッケージタイプ:SOIC 実装タイプ:表面実装 トランジスタ構成:シングル チャンネルモード:エンハンスメント型 カテゴリー:パワーMOSFET 最大パワー消費:2.7 W 幅:4mm PチャンネルSTripFET(TM)パワーMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。 注文コード47187106 品番STS10P4LLF6
参考基準価格(税別)オープン 販売価格(税込) ¥2,178
販売価格(税別)
1,980
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仕様
チャンネルタイプ:P
最大連続ドレイン電流:10 A
最大ドレイン-ソース間電圧:40 V
最大ドレイン-ソース間抵抗:20 mΩ
最低ゲートしきい値電圧:1V
最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V
パッケージタイプ:SOIC
実装タイプ:表面実装
トランジスタ構成:シングル
チャンネルモード:エンハンスメント型
カテゴリー:パワーMOSFET
最大パワー消費:2.7 W
幅:4mm
PチャンネルSTripFET(TM)パワーMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
RoHS指令(10物質対応)対応

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よくあるご質問(FAQ)

ご質問件数: 1
ご質問は製品仕様に関する内容に限らせて頂きます。
質問:
製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
回答:
お手数ですが下記URLのお問合せフォームよりご依頼ください。
お問合せ種類 *必須の中から必要な書類をお選びご依頼ください。

https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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