内容量1袋(10個)
仕様チャンネルタイプ:P 最大連続ドレイン電流:10 A 最大ドレイン-ソース間電圧:40 V 最大ドレイン-ソース間抵抗:20 mΩ 最低ゲートしきい値電圧:1V 最大ゲート-ソース間電圧:-20 V, +20 V パッケージタイプ:SOIC 実装タイプ:表面実装 トランジスタ構成:シングル チャンネルモード:エンハンスメント型 カテゴリー:パワーMOSFET 最大パワー消費:2.7 W 幅:4mm PチャンネルSTripFET(TM)パワーMOSFET、STMicroelectronics. 広い絶縁破壊電圧範囲のSTripFET(TM) MOSFETは、超低ゲート電荷量及び低オン抵抗を提供します。
注文コード47187106
品番STS10P4LLF6