仕様メモリサイズ：64Mbit●構成：4Mワード x 16ビット●ワード数：4M●1ワード当たりのビット数：16bit●最大ランダムアクセス時間：55ns●ローパワー：あり●タイミングタイプ：非シンクロナス●実装タイプ：表面実装●パッケージタイプ：μTSOP II●ピン数：52●寸法：10.89 x 8.99 x 1mm●高さ：1mm●動作供給電圧 Min：2.7 V●低電力SRAM、R1WVシリーズ、ルネサスエレクトロニクス. R1WVシリーズのアドバンスド低消費電力SRAMは、シンプルなインターフェイス、バッテリ駆動、及びバッテリバックアップが重要な設計目標となっているメモリ用途に適しています。. 2.7 → 3.6 Vシングル電源 低スタンバイ電流 クロックなし、リフレッシュ不要 入力 / 出力はすべてTTL対応
