FQPF9P25 ON Semiconductor MOSFET ON SEMICONDUCTOR 47676659

ON Semiconductor MOSFET

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内容量1セット(50個)実装タイプスルーホール仕様【カテゴリー】パワーMOSFET、QFETRPチャンネルMOSFET、FairchildSemiconductor.FairchildSemiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。注文コード47676659品番FQPF9P25
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参考基準価格(税別)オープン
仕様【カテゴリー】パワーMOSFET、QFETRPチャンネルMOSFET、FairchildSemiconductor.FairchildSemiconductor製の新しいQFETR平面MOSFETは、高度な独自技術を使用しているので、電源、PFC(力率補正)、DC-DCコンバータ、プラズマディスプレイパネル(PDP)、点灯バラスト、モーションコントロールなどの幅広い用途に対してクラス最高の動作性能を発揮します。これらの製品では、オン抵抗(RDS(on))を低くすることでオン状態の損失を低減し、ゲート電荷量(Qg)と出力静電容量(Coss)を低くすることでスイッチング損失を低減しています。高度なQFETRプロセステクノロジーを使用することで、Fairchildは競合他社の平面MOSFETデバイスよりも優れた性能指数(FOM)を発揮できます。ピン数(ピン)3動作温度(℃)150RoHS指令(10物質対応)対応パッケージTO-220F実装タイプスルーホールチャンネルタイプP最大パワー消費(W)50チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)3.9最大ドレイン-ソース間電圧(V)250最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)620最小ゲートしきい値電圧(V)3最大ゲート-ソース間電圧(V)-30・30
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よくあるご質問(FAQ)

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製品の安全データシート(SDS)や有害物質使用制限に関するデータ(RoHS)等の書面が必要ですがどうすれば良いですか。
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https://help.monotaro.com/app/ask

書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
5:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-31

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