仕様【カテゴリー】パワーMOSFET、デュアルN/PチャンネルMOSFET、ONSemiconductor
パッケージSOT-28FL、VEC8
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数2
チャンネルタイプN・P
最大パワー消費(W)1
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)2.5、3
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)0.116
最大ゲートしきい値電圧(V)2.6
最小ゲートしきい値電圧(V)1.2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20・20
トランジスタ構成絶縁型