仕様【カテゴリー】パワーMOSFET、デュアルN/PチャンネルMOSFET、ONSemiconductorパッケージSOT-28FL、VEC8実装タイプ表面実装1チップ当たりのエレメント数2チャンネルタイプN・P最大パワー消費(W)1チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)2.5、3最大ドレイン-ソース間電圧(V)60最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)0.116最大ゲートしきい値電圧(V)2.6最小ゲートしきい値電圧(V)1.2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20・20トランジスタ構成絶縁型