仕様【カテゴリー】パワーMOSFET、デュアルN/PチャンネルMOSFET、ONSemiconductorピン数(ピン)8RoHS指令(10物質対応)対応パッケージECH実装タイプ表面実装チャンネルタイプN・P最大パワー消費(W)1.3チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)5.5、7最大ドレイン-ソース間電圧(V)30最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)24、39最大ゲートしきい値電圧(V)2.6最大ゲート-ソース間電圧(V)-20・20標準ゲートチャージ11.8nC@10V