仕様【カテゴリー】パワーMOSFET、デュアルN/PチャンネルMOSFET、ONSemiconductor
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージECH
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN・P
最大パワー消費(W)1.3
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)5.5、7
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)24、39
最大ゲートしきい値電圧(V)2.6
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20・20
標準ゲートチャージ11.8nC@10V