仕様バイポーラNPN及びJFETトランジスタ、ONSemiconductor.NPNバイポーラトランジスタとNチャネルJFETの両方を統合した、省スペースの複合SMTパッケージです。一部のデバイスでは、NPNエミッタとJFETドレインは同じ接続を共有します。
幅(mm)1.6
寸法(mm)2.9×1.6×0.9
ピン数(ピン)5
パッケージCPH
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大ドレイン-ソース間電圧(V)15
トランジスタ構成シングル
IDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)10〜20
最大ドレイン-ゲート間電圧(V)-15
ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)10
ソースゲートオンキャパシタンス(pF)2.9