仕様バイポーラNPN及びJFETトランジスタ、ONSemiconductor.NPNバイポーラトランジスタとNチャネルJFETの両方を統合した、省スペースの複合SMTパッケージです。一部のデバイスでは、NPNエミッタとJFETドレインは同じ接続を共有します。幅(mm)1.6寸法(mm)2.9×1.6×0.9ピン数(ピン)5パッケージCPH実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大ドレイン-ソース間電圧(V)15トランジスタ構成シングルIDSSドレイン-ソースカットオフ電流(mA)10~20最大ドレイン-ゲート間電圧(V)-15ドレイン-ゲート間オンキャパシタンス(pF)10ソースゲートオンキャパシタンス(pF)2.9