チャンネルタイプN
最大連続ドレイン電流(A)11.5
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)20
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20・20
パッケージDPAK(TO-252)
実装タイプ表面実装
ピン数(ピン)3
チャンネルモードエンハンスメント型
最大パワー消費(W)69
1チップ当たりのエレメント数1
仕様PowerTrenchRNチャンネルMOSFET、10〜19.9A、FairchildSemiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応