チャンネルタイプN
最大連続ドレイン電流(A)22
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)40
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20・20
パッケージPower33
実装タイプ表面実装
チャンネルモードエンハンスメント型
最大パワー消費(W)41
1チップ当たりのエレメント数1
仕様PowerTrenchRNチャンネルMOSFET、20〜59.9A、FairchildSemiconductor
トランジスタ構成シングル
RoHS指令(10物質対応)対応