仕様【カテゴリー】パワーMOSFETPowerTrenchRNチャンネルMOSFET、10~19.9A、FairchildSemiconductor動作温度(℃)175RoHS指令(10物質対応)対応パッケージSOIC実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(mW)2500チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)10.8最大ドレイン-ソース間電圧(V)40最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)12最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20・30トランジスタ構成シングル