仕様【カテゴリー】パワーMOSFET、NチャンネルパワーMOSFET、60V、ONSemiconductor
ピン数(ピン)3
動作温度(℃)175
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージDPAK(TO-252)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)18
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)17
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)40
最大ゲートしきい値電圧(V)2.1
最小ゲートしきい値電圧(V)1.2
最大ゲート-ソース間電圧(V)±16