仕様【カテゴリー】パワーMOSFETPowerTrenchRNチャンネルMOSFET、10〜19.9A、FairchildSemiconductor
動作温度(℃)150
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)5
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)18
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)7
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20・20
トランジスタ構成シングル