仕様PチャンネルパワーMOSFET、30〜500V、ONSemiconductor
ピン数(ピン)3
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOT23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプP
最大パワー消費(W)1.25
標準ターンオン遅延時間(ns)8、9
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)3.5
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)150
最大ゲートしきい値電圧(V)1.4
最大ゲート-ソース間電圧(V)-12、12
カテゴリーパワーMOSFET