仕様NチャンネルパワーMOSFET、100V〜1700V、ONSemiconductor
ピン数(ピン)8
動作温度(℃)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージPQFN
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)63
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)51
最大ドレイン-ソース間電圧(V)100
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)12.8
最大ゲートしきい値電圧(V)4
最小ゲートしきい値電圧(V)2
最大ゲート-ソース間電圧(V)±20
カテゴリーDC/DCコンバータ