仕様NチャンネルパワーMOSFET、100V~1700V、ONSemiconductorピン数(ピン)8動作温度(℃)-55RoHS指令(10物質対応)対応パッケージPQFN実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)63チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)51最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)12.8最大ゲートしきい値電圧(V)4最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)±20カテゴリーDC/DCコンバータ