FDMD82100 ON Semiconductor デュアル Nチャンネル パワーMOSFET ON SEMICONDUCTOR 47705343

ON Semiconductor デュアル Nチャンネル パワーMOSFET

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内容量1リール(3000個)実装タイプ表面実装注文コード47705343品番FDMD82100
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参考基準価格(税別)オープン
仕様PowerTrenchRデュアルNチャンネルMOSFET、FairchildSemiconductor.PowerTrenchRMOSFETは、システム効率と電力密度を向上させるように最適化された電源スイッチです。これらの製品は、小さいゲート電荷量(Qg)、小さい逆回復電荷量(Qrr)、ソフト逆回復ボディダイオードを組み合わせているので、AC/DC電源における同期整流の高速スイッチングに貢献します。最新のPowerTrenchRMOSFETは、シールド付きゲート構造を採用しているので、電荷量のバランスが実現します。高度なテクノロジーを使用しているので、これらのデバイスのFOM(性能指数)は、前世代のデバイスよりもはるかに低くなります。PowerTrenchRMOSFETのソフトボディダイオードの性能により、スナバー回路が不要になります。又は電圧定格の高いMOSFETを置き換えることができます。高さ(mm)0.75ピン数(ピン)12パッケージPQFN実装タイプ表面実装チャンネルタイプN最大パワー消費(W)2.1チャンネルモードエンハンスメント型最大連続ドレイン電流(A)25最大ドレイン-ソース間電圧(V)100最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)35最小ゲートしきい値電圧(V)2最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、20カテゴリーパワーMOSFET
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よくあるご質問(FAQ)

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書類名)
1:SDS(MSDS)
2:RoHS(2)
3:非該当証明書
4:ChemSHERPA
3114:その他(ミルシート・出荷証明書)
2022-03-30

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