仕様PowerTrenchRNチャンネルMOSFET、最大9.9A、FairchildSemiconductor
ピン数(ピン)8
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数2
チャンネルタイプN
最大パワー消費(W)2
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(A)3.5
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)100
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、20
カテゴリーパワーMOSFET