チャンネルタイプN
最大ドレイン-ソース間電圧(V)60
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)920
最大ゲートしきい値電圧(V)2.5
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20・20
パッケージSOT-363(SC-88)
実装タイプ表面実装
ピン数(ピン)6
チャンネルモードエンハンスメント型
仕様【カテゴリー】パワーMOSFET、デュアルNチャンネルMOSFET、Nexperia
最大連続ドレイン電流(mA)490
最大パワー消費(mW)410
材質(トランジスタ)Si