仕様デュアルPチャンネルMOSFET、Nexperia
ピン数(ピン)6
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOT-363(SC-88)
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数2
チャンネルタイプP
最大パワー消費(mW)320
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)160
最大ドレイン-ソース間電圧(V)50
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)7.5
最大ゲートしきい値電圧(V)2.1
最小ゲートしきい値電圧(V)1.1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20・20