仕様デュアルNチャンネルMOSFET、Nexperia
幅(mm)1.35
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOT-363(SC-88)
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)445
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)350
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)2.8
最大ゲートしきい値電圧(V)1.1
最小ゲートしきい値電圧(V)0.6
最大ゲート-ソース間電圧(V)-8・8
トランジスタ構成絶縁型