チャンネルタイプN
最大連続ドレイン電流(A)9
最大ドレイン-ソース間電圧(V)30
最大ドレイン-ソース間抵抗(mΩ)19
最小ゲートしきい値電圧(V)1.2
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20・20
パッケージSOIC
実装タイプ表面実装
ピン数(ピン)8
チャンネルモードエンハンスメント型
最大パワー消費(W)1.47
動作温度(℃)-55
仕様PowerTrenchRNチャンネルMOSFET、最大9.9A、FairchildSemiconductor
RoHS指令(10物質対応)対応