仕様強化モードデュアルMOSFET、FairchildSemiconductor.強化モードの電界効果トランジスタは、Fairchild独自規格の高セル密度、DMOS技術を使用して製造されています。この超高密度プロセスは、オン状態抵抗を最小化するように設計されているので、堅牢かつ信頼できる性能と高速スイッチングを発揮します。
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOT23
実装タイプ表面実装
チャンネルタイプN
最大パワー消費(mW)960
標準ターンオン遅延時間(ns)6
チャンネルモードエンハンスメント型
最大連続ドレイン電流(mA)510
最大ドレイン-ソース間電圧(V)50
最大ドレイン-ソース間抵抗(Ω)4
最小ゲートしきい値電圧(V)1
最大ゲート-ソース間電圧(V)-20、20
トランジスタ構成絶縁型
カテゴリーパワーMOSFET