仕様デュアルマッチドバイポーラトランジスタ、ONSemiconductor.ベースエミッタ電圧(VBE)及び電流ゲイン(hFE)にマッチするシングルパッケージのNPN又はPNPバイポーラトランジスタのペアです。
ピン数(ピン)6
動作温度(℃)-55
RoHS指令(10物質対応)対応
パッケージSOT363(SC88)
実装タイプ表面実装
1チップ当たりのエレメント数2
最大コレクタ-エミッタ間電圧(V)65
最大パワー消費(mW)380
最大エミッタ-ベース間電圧(V)-5
最大コレクタ-ベース間電圧(V)-80
トランジスタ構成絶縁型
最大DCコレクタ電流(mA)100
トランジスタタイプPNP
最小DC電流ゲイン220
最大動作周波数(MHz)100